)1. 서 론
산업발전의 추세와 더불어 배출되는 오⋅폐수의 양 도 함께 증가함에 따라 많은 양의 오⋅폐수를 처리하기 위한 다양한 기술이 개발되고 있다. 특히 분리막용 수 처리 장치는 다른 수처리 공법에 비하여 외부환경에 비 교적 민감하지 않고 안정된 수질을 유지 할 수 있다는 장점 때문에 폭넓게 이용되고 있다. 특히 분리막 수처 리 기술은 입상 활성탄과 부직포를 이용하는 장치보다 정밀한 여과제어가 가능하고 치수안정성과 내화학 특 성이 우수하여 장시간 사용에도 성능저하가 낮아 1960 년대부터 꾸준히 연구되고 상업화되어 왔다[1,2]. 이러 한 분리막 수처리 장치의 핵심요소인 분리막은 상업성 이 매우 높아서 많은 제품들이 소개되고 있다. 특히 고 분자 소재는 밀도가 매우 낮고 가공이 용이하며, 특징 적인 화학적 처리에 의해 다양한 기능을 부여할 수 있 어 최근 기능성 고분자 멤브레인 소재에 대한 기술적 수요가 급격히 증가하고 있다. 금속 또는 세라믹소재에 비해 상대적으로 소형화, 경량화 및 박막화가 쉬워 나노 사이즈의 가공이 수월하다는 장점 또한 고분자소재를 이용하는 주요한 이유 중 하나이다. 이러한 고분자소재 의 물리학적 특성에 더하여 분리막 가공의 주재로 사용 되는 폴리이미드(polyimde) 혹은 폴리설폰(polysulfone) 등의 소재는 내화학성과 내열성이 우수하여 화학적 안 정성이 요구되는 산업폐수의 처리와 고온 조건하의 기 체의 선택적 분리가 가능하여 분리막 공정으로 응용 및 상업화에 크게 기여하고 있다[3,4]. 일반적으로 필터로 사용되는 고분자 분리막의 주재료는 PI (Polyimide), PEI (Polyetherimide) 등의 이미드계열과 CA (cellulose acetate), PES (Polyehersulfone), PSF (Polysulfone)과 같은 설폰계 고분자가 주로 사용된다. 이 중 폴리설폰 은 내화학성, 물리적 성질 등이 우수하여 기체분리장치, 수처리장치 분야에서 다양하게 응용되고 있다[5]. 폴리 설폰과 같은 고분자소재 필터의 여과효율을 향상시키 기 위해 고분자에 첨가제를 더하거나, 용액의 온도를 변화시킴으로써 고분자 필터의 미세 조직구조를 변화 시키는 연구가 선행되었다[6,7]. 고분자 멤브레인 내부 의 기공형성에 따른 미세구조의 특징은 기공크기, 기공 율 등으로 설명되며, 용액 내 용질의 크기에 따른 선택 적 분리기능을 담당하게 된다.
한편 최근 전자제품의 소형화로 제한된 공간 내에 더 많은 소자들을 집적하고 소형화되면서 이전의 전자기 기보다 더 많은 열이 발생하고 있다. 이러한 발열량 증 가는 기기의 오작동을 유발하고 기기 수명과 성능의 주 요한 저하원인으로 작용한다. 기기의 동작 중 발생하는 열과 이로 인한 해당기기의 온도상승을 억제하기 위하 여 다양한 방열부품소재기술과 방열설계기술이 적용되 고 있다[8,9]. 첨단전자기기의 성능이 개량되고 제품이 소형화될수록 발열문제의 해결을 위한 소재기술의 필 요성은 점차로 커지고 있다.
흑연(graphite)은 높은 수평열전도도(~400 W/mK)와 박막형 가공의 용이성, 우수한 내열 및 내화학 특성을 갖고 있어, 흑연을 사용한 다양한 열전도 및 방열소재 응용제품들이 개발되고 있다. 따라서 이를 활용하는 소 재기술도 크게 증가하고 있다[10,11]. 흑연은 잘 알려져 있는 바와 같이 탄소-탄소결합의 육각형 평면단위체가 약한 Van der Waals 인력으로 적층되어 있는 구조이다. 따라서 압력에 의한 시트형상의 가공 때 쉽게 슬립이 일어나게 되어 형상의 제어가 어렵지만 고체윤활제로 활용성이 높다[12]. 흑연을 화학적으로 처리하여 초기 부피의 100~300배 정도 팽창시키면 밀도는 매우 낮아 지고 인접한 그래핀 층 사이의 낮은 결합력에 의해 나 타나던 슬립현상이 현저히 줄어들어 성형가공이 가능 해진다[13]. 고분자수지 기반의 멤브레인의 산업적 수 요가 확대되는 추세에서 고성능/기능성 멤브레인 제품 의 기술수요가 높아지고 있고 그래핀의 선택적 분리특 성을 접목한 폴리설폰 복합수지에 대한 열특성 연구는 기능성 분리막으로의 기초데이터로서 활용성을 기대할 수 있다[14-16]. 따라서 본 연구에서는 상기에 기술한 바와 같이 그래핀을 포함하는 폴리설폰 분리막소재의 열적 특성과 기공 구조의 변화를 분석하였다.
2. 실 험
2.1. 시약 및 재료
본 실험에 사용된 polysulfone 수지는 Solvay사의 Udel 1700 제품을 구입하여 80°C의 건조오븐에서 수분 을 제거한 뒤 사용하였으며, chloroform (순도 99.97%,) 은 SK 화학에서, n-methylpyrrolidone (순도 99.5%)은 삼천화학에서, 1,3-propanediol (순도 98%)은 Aldrich에 서, ethanol (순도 99.9+%)은 Bardicck & Jackson에서 구입하여 특별한 정제과정 없이 사용하였다. 그래핀 제 조를 위해 사용된 흑연은 Aldrich사의 제품(< 20 μm) 을 사용하였다. 그래핀의 제조는 Hummers method를 기반으로 제조하였다[9,12]; 흑연 10 g과 질산나트륨 10 g을 황산 240 mL에 첨가하고 교반시킨다. 여기에 과망간산칼륨 30 g을 첨가하여 얼음조가 비치된 자력 교반기를 사용하여 30분간 교반시켜 산화반응을 진행 시킨다. 다음에 증류수 410 mL를 첨가하여 용액의 산 화반응을 정지시킨다. 이후 원심분리기를 사용하여 용 액의 산도를 pH > 6으로 중성화시킨 산화흑연(graphie oxide) 수용액을 준비한다. 여기에 환원제 hydrazine hydrate (50-60% in water, Aldrich)를 10 mL 첨가하고 환류기를 사용하여 3일간 환원처리 뒤 다시 증류수로 세 척하고 용액을 건조시키면 환원된 산화 흑연(reduction graphite oxide)인 그래핀(Gp)이 만들어진다. 잔류응력 측정에 사용되는 polysulfone/graphene (PSFGp) 혼합용 액은 chloroform 93 g에 앞서 제조한 그래핀(Gp) 0.21 g을 혼합한 뒤 5시간 동안 초음파발생기(VC-505, SONICS)를 사용하여 처리하고, 이 후에 polysulfone (PSF) 6.79 g 을 추가로 넣어서 24시간 이상 다시 초음파수조에서 충 분히 혼합하여 제조한다. 이렇게 제조된 PSFGp 혼합용 액에는 그래핀이 3 wt% 포함되어 있다(PSFGp-3). 이와 같은 방식으로 그래핀의 함량을 조절하여 여러 가지 그 래핀 함량을 갖는 PSFGp 용액을 준비한다. 제조된 용 액은 분석 직전에 상온에서 3시간 이상 방치시켜 용액 내부의 기공을 최소화 시키고, Si (100) 기판 위에 용액 을 도포한 뒤 spin coating하여 PSFGp 막을 준비한다. 실리콘 기판에 코팅된 PSFGp 막의 평균 두께는 약 10 μm이다. 분석 전에 필름의 잔류 용매 증발을 위해 40°C의 hot plate에서 20분간 방치시킨 뒤 상온으로 공 랭시킨다. 준비된 PSFGp 막이 도포된 실리콘 기판은 제작한 잔류응력 측정기를 사용하여 측정하였다. 열전 도도의 측정을 위한 PSFGp 평막의 제조는 PSFGp 용 액을 유리기판에 스핀코팅하여 준비한 후, 증류수가 채 워진 침수조에 담그어 상전이를 유도하는 방식으로 제 조하였다[17]. 평막제조에 사용되는 복합조성물용액은 다음과 같이 준비한다; NMP, 1,3-propanediol, ethanol 이 각각 69.1, 13.3, 2.6 g 혼합된 용매에 그래핀 0.45 g 을 첨가하고 초음파발생기로 분산시킨다. 그리고 여기 에 폴리설폰 14.55 g을 추가한 뒤 50°C에서 교반기를 사용하여 잘 혼합하여 그래핀이 3 wt% 포함된 PSFGp 복합조성물용액(PSFGp-3)을 만든다. 이와 같은 방법으 로 흑연의 함양을 조절하여 여러 가지 그래핀 함량을 갖는 PSFGp 용액을 준비한다.
2.2. 측 정
위에서 준비된 PSFGp 복합조성물용액을 사용하여 잔류응력과 열전도분석을 위한 멤브레인을 제조하였다. Fig. 1에서 보는 바와 같이 잔류응력의 분석은 waferbending technique을 사용하여 측정하였고, 열전도도는 레이저 섬광법에 기반을 둔 측정장비를 사용하여 면방 향과 두께방향으로 측정하였다.
온도변화에 따른 잔류응력의 분석은 He-Ne 레이저와 가열장치를 갖춘 직접 제작한 잔류응력분석기를 이용 하여 실시하였다. 잔류응력의 분석은 가열 또는 냉각되 는 동안 기판과 PSFGp 박막의 서로 다른 열팽창계수 차이에 의해 기판의 계면에서 stress가 발생하고 미세하 게 휘어지는 현상이 나타나는데 이때 기판의 곡률반경 변화를 측정하여 식 (1)에 따라 잔류응력을 계산하는 원리를 사용한다[18].
본 식에서 아래첨자 F와 S는 각각 박막과 기판을 의 미하며, 기호 E, ν, t, R은 각각 Young’s modulus, Poission ratio, 박막두께, 곡률반경을 나타내며, 추가적 으로 Si (100) 기판의 biaxial 계수, 는 1.805 × 105 MPa이다.
시료의 열전도도(λ)는 다음의 식, 에 의해 얻을 수 있다[17,19]. 여기서 α(T), Cp(T), 그리고 ρ(T)는 각각 시료의 열확산도, 비열, 밀 도를 의미한다. 시료의 열확산도는 레이저 섬광법에 기 반을 둔 LFA-447 장비(Netzsch, Germany)로 측정하였 다. 시료의 비열측정은 DSC (DSC220CU, Seiko)로 실 시하였다. 박막시료의 열전도 이방성을 분석하기 위하여 열전도도를 면방향(in-plane)과 두께방향(out-of-plane)으 로 구분하여 각각 측정한 후 비교하였다.
시료의 단면구조는 FE-SEM (Quanta 200FEG, operated at 15 kV)을 사용하여 분석하였다.
3. 결과 및 토론
3.1. Polysulfone/Graphene 멤브레인 구조분석
폴리설폰(polysulfone, PSF) 수지는 특징적인 -SO2- 연결그룹으로 인해 NMP, DMSO 등의 극성용매에 잘 용해되는 특성을 갖고 있다. 따라서 소수성의 그래핀이 혼합되어있는 PSFGp 멤브레인 내부로 물과 같은 극성 용매의 침투는 억제되는 효과가 나타난다. 이러한 효과 는 PSFGp에 포함된 그래핀의 양이 증가하면 더 크게 나타날 것으로 예상할 수 있다. Fig. 2는 그래핀을 포함 하는 PSFGp 복합조성물을 도포한 유리판을 증류수조 (water bath)에 상전이법으로 멤브레인을 제조한 후, 각 각의 멤브레인 시료들의 단면을 분석한 이미지를 보여 준다. 모든 멤브레인의 단면에서 수직으로 길게 뻗은 파이프 형태의 기공구조(void pipe)를 확인할 수 있었 다. 전체적으로 모든 멤브레인 단면 이미지에서 형성되 는 void pipe들은 아래쪽이 위쪽보다 지름이 큰 형태로 만들어졌다. 하지만 개별 멤브레인의 void pipe 형태는 그래핀의 함량차이에 따라 조금씩 변화를 보여준다. 그래 핀을 포함하지 않은 PSFGp-0 (Fig. 2(a))의 void pipe는 지름이 제일 작았다. 그래핀이 3 wt% 포함된 PSFGp-3은 이보다 약간 커졌음을 알 수 있다. 그리고 그래핀의 함 량이 차례로 증가함에 따라 void pipe의 지름은 점차로 커지는 경향을 나타내었다. 이것은 앞서 기술한 바와 같이 소수성의 그래핀이 polysulfone 분자들과 혼합되 면서 PSFGp 멤브레인의 전체적인 hydrophilicity를 변 화시키기 때문이다. 유리판에 도포된 PSFGp 조성액에 침수과정에서 물에 접하면 상전이과정 동안 물분자가 PSFGp 조성내부로 확산되면서 내부의 유기용매(NMP, 1,3-propanediol, ethanol)는 제거되고 멤브레인이 형성 된다. 용매의 확산과 제거 과정에서 void pipe가 형성되 는데 물과 접하는 멤브레인 표면 쪽에서는 내부보다 상 대적으로 빠른 확산과 제거가 이루어지게 되어 지름이 작은 pipe 구조를 만들게 된다. 하지만 유리면 쪽으로 내려갈수록 물의 침투와 내부용매의 제거가 느리게 되 고 결과적으로 멤브레인 내부의 pipe 지름도 커지게 된 다. 그래핀의 함량이 증가할수록 PSFGp의 전체적인 소 수성도 커지게 되어 그래핀의 함량이 적은 멤브레인 시 료보다 물의 확산과 용매의 제거가 느려지기 때문에 전 체적인 void pipe의 지름이 커지는 경향성을 나타낸다 고 설명할 수 있다. Fig. 2(f)의 이미지는 그래핀의 함량 이 20 wt% 포함된 PSFGp 멤브레인의 단면을 보여주 는데 void pipe 의 크기가 매우 크다. 물과 접하는 위쪽 면의 pipe 지름도 상당히 커져 있음을 확인할 수 있다.
3.2. Polysulfone/Graphene 복합막의 잔류응력
각종 고분자기반 소재의 박막은 온도의 변화에 따라 수축과 팽창을 반복한다. 특정한 기판에 코팅된 고분자 박막의 경우, 기판과 고분자박막의 열평창계수 차이에 의해 온도변화에 따라 수축과 팽창을 반복하게 되고 이 팽창수축 과정에서 접착계면의 스트레스가 유도된다. 그리고 장시간 동안 반복되는 팽창수축 활동을 통하여, 계면의 탈착과 막의 박리가 발생된다. Fig. 3은 Si (100) 기판에 10 μm 두께의 PSFGp 박막을 도포한 시 료의 온도에 따른 스트레스 변화를 보여준다. 5 °C/min 의 승온속도로 최대온도 400°C까지 가열시킨 뒤, 30분 간 유지하고 자연 냉각시키면서 스트레스를 분석하였 다. PSFGp 박막이 코팅된 Si (100) 기판구조에서 박막 은 Si 기판의 열팽창계수보다 상대적으로 크기 때문에 온도의 변화에 따라 박막의 수축과 팽창이 상대적으로 크게 나타나게 된다. 따라서 전체적인 그래프 계형은 온도가 상승하면서 PSFGp 박막의 팽창효과에 의해 스 트레스는 점차로 낮아지게 되고, 스트레스 값은 대략적 으로 0 MPa 수준까지 도달한다. 반대로 온도가 내려가 게 되면 PSFGp 박막의 수축이 크게 일어나게 되어 스 트레스가 상승하게 된다. 그래핀(Gp)을 포함하지 않는 PSFGp-0 시료의 초기스트레스와 최종스트레스는 약 35 MPa 수준으로 확인되었다. 그래핀을 3 wt% 포함하 는 PSFGp-3은 시작과 최종스트레스의 값은 30 MPa 이상으로 PSFGp-0의 경우와 유사한 결과를 보였다 (Fig. 3에 포함하지 않음). 모든 그래프의 hysteresis 정 도는 시료마다 상당히 차이를 보이지만, 이는 기판과 박막의 계면 상태에 크게 의존하는 결과로서 잔류응력 의 분석에서 확인되는 hysteresis의 원인을 정확히 해석 하기는 어렵다. 추가적으로 그래핀 함량이 5, 8, 12 wt% 까지 증가함에 따라서 전체적인 스트레스 수준이 차례로 낮아지는 경향을 뚜렷하게 확인할 수 있다. PSFGp-5, -8, -12 시료는 각각 약 25, 10~15, 10 MPa 이하로 분 석되었다. 이것은 그래핀의 함량이 증가함에 따라 박막 의 잔류응력이 점차로 완화되는 효과에 기인한다. 그래 핀은 흑연의 기본단위로서 많은 부분에서 유사한 특성 을 나타내는데 흑연이 고체윤활제로 널리 사용되는 것 을 고려할 때, PSFGp 박막내부의 수축과 팽창과정에서 polysulfone 사슬의 움직임은 포함된 그래핀의 영향으 로 상당히 원활해지고 스트레스가 낮아지는 결과로 확 인되고 있다[17,20].
3.3. Polysulfone/Graphene 복합막의 열전도도
Fig. 4에는 상전이법에 의해 제조한 PSFGp 박막의 열전도도를 두께방향(out-of-plane)과 면방향(in-plane) 으로 분석한 결과를 정리하였다. 본 연구에서 실시한 열전도 분석은 측정방법의 차이에 따른 절대적 수치의 차이를 배제하기 위해 선행연구결과[17]에서 실시하였 던 방법과 동일하게 시료를 준비하여 일반적인 두께방 향 열전도 분석방법으로 동일하게 면방향 열전도도를 분석하였다. 절대적인 수준은 0.1 W/mK 이하로 매우 낮은 편이지만 시료별로 변화되는 경향은 분명히 확인 할 수 있다. 복합조성물 내에서 열전도도가 우수한 그 래핀의 함량이 증가하면 이에 비례하여 PSFGp 시료의 열전도도도 함께 상승하였다. 이러한 경향은 두께방향 과 면방향 모두에서 동일하게 확인되고 있다. 하지만 두께방향이 면방향보다 약간 낮은 수준의 열전도도를 나타내었는데 이것은 실험에 사용한 평막의 미세구조 와 그래핀의 구조적 특성에 기인한 것으로 설명할 수 있다. Fig. 4의 내부에 포함된 SEM 이미지는 PSFGp-8 평막의 단면을 보여준다. 실험에 사용한 다른 PSFGp 평막들도 모두 이와 유사한 구조적 특징을 보인다. 평 막의 단면에는 매우 뚜렷한 미세 파이프구조들이 수직 으로 성장해 있음을 확인할 수 있다. 따라서 모든 증류 수 조건에서 상전이법에 의해 제조된 PSFGp 평막의 내부는 많은 파이프형 기공들이 존재하고 있어서 수직 방향으로의 열전도도가 상대적으로 낮게 측정되는 것 으로 판단된다. 이에 비해 면방향의 열전도도는 열이 주로 전달되는 막의 표면을 따라서 측정되기 때문에 두 께방향에 비해 유리한 조건을 형성하기 때문이다. 또한 막의 내부에서 그래핀은 자신의 특징적인 판상형 구조 에 의해 평막의 면방향으로 위치하게 되고 이는 면방향 으로의 열전달에 상대적으로 유리한 조건을 만들게 된 다. 그래핀이 포함된 PSFGp 막의 열적 특성은 측정방 향에 따라 서로 다른 이방성을 나타내는데 이는 막의 성형 시 나타나는 특징적인 기공구조와 그래핀의 독특 한 2차원 구조에 기인한다.
4. 결 론
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(1) 그래핀을 포함하는 polysulfone 복합조성물을 상 전이법으로 멤브레인을 제조 시 비용매인 물의 확산과 내부용매의 제거속도의 차이에 따라 멤브레인의 내부 에 형성되는 void pipe의 형태가 크게 변화되었고 이는 PSFGp 멤브레인의 hydrophilicity가 그래핀의 혼합에 의해 변화된 결과였다.
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(2) PSFGp 조성용액을 실리콘기판에 도포하여 막을 형성하고, 이것들의 온도변화에 대한 잔류응력 분석을 수행하였고 특정기판에 도포된 막의 잔류응력은 계면의 구조적 안정성을 분석하는 중요한 지표임을 확인하였다.
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- PSFGp 복합막의 내부에 포함된 그래핀 함량이 증 가함에 따라 그래핀의 고체윤활 특성이 커지게 되고 결 과적으로 잔류응력은 차례로 완화되는 경향성을 확인 할 수 있었다.
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- 그래핀을 소량 포함하는 polysulfone 평막의 열전도 도 측정을 면방향과 두께방향으로 구분하여 수행하였 으며, 각각의 방향에 따라 열전도도 값이 차이를 나타 남을 확인하였고, 이것은 본 연구에 사용된 PSFGp 복 합막이 열전도 이방성을 나타내고 있음을 보여주는 결 과였다.
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- 복합막 내부의 기공형성구조와 그래핀의 2차원 구 조가 평막의 면방향으로 발달하는 효과에 의해 면방향 열전도도가 두께방향 열전도도보다 약간 높은 수준으 로 분석되었고 그래핀의 함량이 증가함에 따라 두께방 향과 면방향 모두 열전도도는 이에 비례하여 차례로 증 가하여 복합막의 열전도도가 그래핀의 함량에 크게 영 향을 받음을 확인할 수 있었다.
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